مرشح رغوي خزفي مصبوب من الألومنيوم، مرشح CFF لترشيح المعادن المنصهرة

مرشح رغوي خزفي مصبوب من الألومنيوم

يتألف مرشح الرغوة الخزفية المصبوب من الألومنيوم من جسم مسامي له عدة أوجه طرفية وسطح محيطي خارجي.

A مرشح رغوي خزفي يتم تركيبه على الجدار الداخلي لمسار التدفق الرئيسي لصندوق المرشح. ومن بينها، يتم تنقية السائل الذي يتدفق إلى مسار التدفق الرئيسي من الفتحة الموجودة على أحد جوانب السطح الطرفي بواسطة غشاء الترشيح والجزء الداخلي المسامي.

إزالة السائل المنقي من السطح المحيطي الخارجي للجسم المسامي، أو السماح للسائل المنقي المتدفق من السطح المحيطي الخارجي للجسم المسامي بالمرور عبر الجزء الداخلي من الجسم المسامي لتنقية سائل الألومنيوم، ثم إزالته من فتحة سطح طرفي واحد على الأقل من مسار التدفق الرئيسي.

تعد تقنية تنقية الألومنيوم المنصهر الموضوع الرئيسي لأبحاث صناعة الألومنيوم الحديثة. ويتمثل الاتجاه الأساسي في تعظيم فعالية التنقية وتحسين نقاء المعدن مع منع التلوث البيئي. وأثناء عملية صهر الألومنيوم، تغمر طبقة الأكسيد في المادة المنصهرة. ويطفو بعضها على سطح ذوبان الألومنيوم أو يلتصق بجدار الفرن. وتتعرض قطرات الألومنيوم هذه وسطح الذوبان للتأكسد مرة أخرى، مما يؤدي أيضًا إلى تكوين شوائب.

بمجرد اختلاط الشوائب بالشريط المصبوب والمدلفن، فإن ذلك يؤدي إلى ظهور عيوب مثل الشوائب وطبقة الأكسيد. وهذا يقلل بشكل كبير من الخصائص الميكانيكية ومقاومة التآكل للمنتج. لذلك، في عملية الصب والدرفلة المستمرة، يجب تكرير وتصفية المادة المنصهرة لتقليل محتوى الغاز والشوائب بشكل فعال، وبالتالي إنتاج صفائح ورقائق عالية الجودة.

مرشح رغوي خزفي مصبوب من الألومنيوم

لا يُعد مرشح الرغوة الخزفية المصبوب من الألومنيوم حاجزًا ميكانيكيًا للشوائب فحسب، بل يعمل أيضًا على الامتصاص الفيزيائي والكيميائي؛ كما أن المسام الدقيقة والامتصاص الكيميائي على الجدار الداخلي للوحة المرشح يساهمان أيضًا في احتجاز الشوائب. ولذلك، فإن حجم الشوائب التي يتم ترشيحها أصغر بكثير من حجم فتحات لوحة المرشح.

عند الترشيح باستخدام مرشح رغوي خزفي، في المرحلة الأولية، تعمل عملية الغربلة السطحية على اعتراض الجسيمات الكبيرة، بينما تتم إزالة الجسيمات الصغيرة من خلال آلية الترشيح العميق. ومع تكوّن الرواسب السطحية، تصبح الطبقة المترسبة قادرة على اعتراض الجسيمات الكبيرة والصغيرة على حد سواء. ومن خلال آلية الترشيح العميق التي تعمل على احتجاز الجسيمات الدقيقة العالقة في الشبكة، يتحسن أداء الترشيح للوحة المرشح. وعندما تصل الجسيمات الممتصة إلى حالة التشبع، أي عندما يكون عدد الجسيمات الممتصة من المادة المنصهرة مساوياً لعدد الجسيمات التي تحملها المادة المنصهرة المتدفقة، تنخفض قدرة إزالة الخبث.

Leave a Reply